| PERKATAAN |
PADANAN |
BIDANG |
HURAIAN |
| extrinsic semiconductor | | | Semikonduktor yang telah didopkan. Bilangan elektron dan lohong adalah berbeza. Bilangan kepekatan lohong dan elektron menentukan semikonduktor tersebut sama ada jenis-n atau jenis-p. Banding semikonduktor intrinsik. |
| macroscopic | | | Sifat sistem yang kuantiti fiziknya dapat diukur atau dicerap secara terus. Bagi objek fizikal, saiznya melebihi 1 mm. Dari segi statistik, sistem ini merangkumi himpunan zarah yang banyak. Banding mikroskopik. |
| microscopic | | | Sifat objek yang kuantiti fiziknya tidak dapat diukur atau dicerap secara terus disebabkan oleh saiznya yang kurang daripada 1 mikrometer. Dari segi statistik, objek ini merupakan komponen sistem makro. Banding makroskopik. |
| p-type semiconductor | | | Semikonduktor ekstrinsik yang ketumpatan lohongnya melebihi ketumpatan elektron konduksi. Semikonduktor jenis-p diperoleh dengan melakukan proses pendopan, iaitu dengan menambah atom penerima yang dapat menyumbangkan lohong kepada bahan semikonduktor. Banding semikonduktor jenis-n. |
| n-type semiconductor | | | Semikonduktor ekstrinsik yang ketumpatan elektron konduksinya melebihi ketumpatan lohong. Semikonduktor jenis-n diperoleh dengan melakukan proses pendopan, iaitu dengan menambah atom penderma yang dapat menyumbangkan elektron bebas kepada bahan semikonduktor. Banding semikonduktor jenis-p. |
| bottom-up nanofabrication | | | Pembinaan struktur peranti yang bermula daripada unit terkecil seperti atom atau molekul, sehingga menjadi produk akhir. Proses ini menggunakan teknik sintesis kimia yang rumit dan dikawal rapi, seperti teknik swapasang. Banding nanofabrikasi atas-bawah. |
| homoepitaxy | | | Kaedah pemendapan lapisan filem monohablur ke atas substrat monohablur yang sama jenis. Filem tipis ini disediakan dengan kaedah percikan, ablasi laser denyut atau epitaksi alur molekul (MBE). Contohnya, silikon jenis-p dimendapkan ke atas silikon jenis-n. Banding heteroepitaksi. |
| top-down nanofabrication | | | Fabrikasi nanobahan atau peranti nanoelektronik yang bermula daripada bahan pukal. Contohnya, menyediakan nanowayar. Satu bilion komponen elektronik dapat difabrikasikan pada keluasan 1 cm2 menggunakan teknik litografi alur elektron berkuasa tinggi atau litografi sinar-X. Banding nanofabrikasi bawah-atas. |
| hydrophobic | | | Sifat bahan atau molekul yang menolak kehadiran molekul air. Bahan hidrofobik tidak menyerap dan larut di dalam air dan biasanya tidak bercas dan tidak mempunyai kumpulan berkutub. Contohnya, bahan berminyak, berlemak dan bergris yang digunakan untuk mencuci kotoran minyak dan cucian kering. Banding hidrofilik. |
| heteroepitaxy | | | Kaedah pemendapan lapisan filem monohablur ke atas substrat monohablur berlainan jenis. Filem tipis ini disediakan dengan kaedah percikan, ablasi laser denyut atau epitaksi alur molekul (MBE). Contohnya, hablur semikonduktor seperti galium arsenida, germanium dan kadmium telurid (CdTe) dapat dimendapkan pada permukaan hablur silikon. Banding homoepitaksi. |